MICRON DDR5 SDRAM

發(fā)布時(shí)間：2020-12-24 16:57:28 瀏覽：2431

CPU核心的數(shù)量正在增加。為了實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心的持續(xù)計(jì)算性能改進(jìn)，需要使用MICRON DDR5的性能優(yōu)勢(shì)來(lái)維護(hù)每個(gè)CPU內(nèi)核的可用帶寬。MICRON DDR5及其額外的計(jì)算將有助于從當(dāng)今世界產(chǎn)生的爆炸性數(shù)據(jù)中提取價(jià)值和洞察力。

MICRON DDR5 技術(shù)支持計(jì)劃(TEP)是一項(xiàng)項(xiàng)目，它提供獲取美光技術(shù)的途徑，并提供早期獲取技術(shù)信息和支持、電力和散熱模型以及MICRON DDR5產(chǎn)品的機(jī)會(huì)，以幫助設(shè)計(jì)、開發(fā)和推出下一代產(chǎn)品。它還代表計(jì)算平臺(tái)，還匯集了其他生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴，幫助MICRON DDR5在市場(chǎng)上隨處推廣和采用。

DDR5 是DRAM開發(fā)的下一步，它帶來(lái)了一系列新的功能，旨在提高(RAS)的可靠性、可用性和可使用性。降低功耗，并大大提高性能。

DDR5 SDRAM.png

DDR5的一些關(guān)鍵功能如下：

功能/選項(xiàng)	DDR5	DDR5的優(yōu)勢(shì)
資料速率	3200-6400 MT /秒	提高性能和帶寬
V DD / V DDQ / V PP	1.1 / 1.1 / 1.8	降低功率
內(nèi)部V REF	V REFDQ，V REFCA，V REFCS	提高電壓裕度，降低BOM成本
設(shè)備密度	8Gb至64Gb	支持更大的單片器件
預(yù)取	16n	使內(nèi)部?jī)?nèi)核時(shí)鐘保持低電平
DQ接收器均衡	DFE	改善 DRAM內(nèi)部接收到的DQ數(shù)據(jù)眼的張開
占空比調(diào)整（DCA）	DQS和DQ	改善發(fā)送的DQ / DQS引腳上的信令
內(nèi)部DQS延遲監(jiān)控	DQS間隔振蕩器	增強(qiáng)抵抗環(huán)境變化的能力
片上ECC	128b + 8b SEC，錯(cuò)誤檢查和清理	增強(qiáng)片上RAS
CRC	讀/寫	通過(guò)保護(hù)讀取的數(shù)據(jù)來(lái)增強(qiáng)系統(tǒng)RAS
銀行組（BG）/銀行	8 BG x 2個(gè)存儲(chǔ)區(qū)（8Gb x4 / x8） 4 BG x 2個(gè)存儲(chǔ)區(qū)（8Gb x16） 8 BG x 4個(gè)存儲(chǔ)區(qū)（16-64Gb x4 / x8） 4 BG x 4個(gè)存儲(chǔ)區(qū)（16-64Gb x16）	提高帶寬/性能
命令/地址界面	CA <13：0>	大大減少了CA引腳數(shù)
ODT	DQ，DQS，DM，CA總線	改善信號(hào)完整性，降低BOM成本
突發(fā)長(zhǎng)度	BL16，BL32 （和BC8 OTF，BL32 OTF）	僅通過(guò)1個(gè)DIMM子通道允許64B高速緩存行讀取。
MIR（“鏡像”引腳）	是	改善DIMM信號(hào)
總線倒置	命令/地址反轉(zhuǎn)（CAI）	降低模塊上的V DDQ噪聲
CA培訓(xùn)，CS培訓(xùn)	CA培訓(xùn)，CS培訓(xùn)	改善CA和CS引腳上的時(shí)序裕度
編寫水準(zhǔn)訓(xùn)練模式	已改善	補(bǔ)償不匹配的DQ-DQS路徑
閱讀訓(xùn)練模式	用于串行（用戶定義），時(shí)鐘和LFSR 生成的訓(xùn)練模式的專用MR	使讀取時(shí)序裕度更穩(wěn)定
模式寄存器	最多256 x 8位（LPDDR類型讀/寫）	提供擴(kuò)展空間
PRECHARGE命令	所有銀行，每家銀行和同一家銀行	PREsb在每個(gè)BG中啟用預(yù)充電特定的存儲(chǔ)庫(kù)
刷新命令	所有銀行和同一銀行	REFsb支持刷新每個(gè)BG中的特定存儲(chǔ)體
環(huán)回模式	是	啟用DQ和DQS信令測(cè)試

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