Statek低頻振蕩器設(shè)計(jì)的比較-立維創(chuàng)展

Statek低頻振蕩器設(shè)計(jì)的比較

發(fā)布時(shí)間：2024-01-08 09:31:04 瀏覽：2826

Statek低頻振蕩器設(shè)計(jì)的比較

振蕩器類型

晶體控制振蕩器可分為兩大類:正電抗或負(fù)電抗。正電抗模式通常被稱為“平行諧振”或“反諧振”振蕩器。皮爾斯振蕩器是一種常見的正電抗振蕩器。負(fù)電抗模式通常被稱為串聯(lián)振蕩器。Statek晶體的設(shè)計(jì)和調(diào)整為特定的操作模式(表1)。

模式	振蕩器	晶體推薦
正電抗	皮爾斯或并聯(lián)	CX-1V or CX-2V	使用單逆變器
負(fù)電抗	系列	CX-1H or CX-2H	使用兩個(gè)逆變器

表1：推薦用于基本振蕩器電路的Statek晶體

皮爾斯振蕩器

皮爾斯振蕩器(圖1)采用單逆變器，具有兩個(gè)移相電容和在反饋回路中提供180°℃相移的晶體。晶體的導(dǎo)電行為就像電感一樣。振蕩頻率比晶體的串聯(lián)諧振頻率高30ppm ~ 300ppm。如果晶體從電路中取出，振蕩器通常會(huì)停止振蕩。與串聯(lián)振蕩器相比，穿孔式振蕩器通常啟動(dòng)較慢，電流較小。小型化的便攜式設(shè)備(電池供電)，包括手持?jǐn)?shù)據(jù)輸入終端，都使用了皮爾斯振蕩器。

系列振蕩器

通常，串聯(lián)振蕩器(圖2)由兩個(gè)級(jí)聯(lián)的逆變器組成，晶體連接在第二個(gè)逆變器輸出和第一個(gè)逆變器輸入之間。這種晶體的電行為就像電容器一樣。如果晶體被移除，振蕩器通常會(huì)以更高的頻率自由運(yùn)行。與穿孔振蕩器相比，它啟動(dòng)更快(通常為100毫秒)，并吸收更大的電流。

皮爾斯還是系列?

晶體或振蕩器類型的選擇主要取決于性能要求。表2總結(jié)了穿孔振蕩器和串聯(lián)振蕩器的性能特點(diǎn)。CX-1V晶體的Q值比CX-1H高，因?yàn)樗敲芊庠谡婵瞻b中。CX-1H晶體具有大約3到5倍高的運(yùn)動(dòng)阻力(低Q)，因?yàn)樗敲芊獾模咏髿鈮骸?/p>

振蕩器的特點(diǎn)	系列振蕩器 CX-1H, CX-2H	皮爾斯振蕩器 CX-1V, CX-2V
振蕩電流	0.1 - 5mA	10-600 μA
開始時(shí)間	小于_秒	小于1秒
長期穩(wěn)定	通過晶體時(shí)效測(cè)定	通過晶體時(shí)效測(cè)定
溫度穩(wěn)定性	晶體測(cè)定	晶體測(cè)定
晶體故障(打開)	通常自由運(yùn)行1.5-2x晶體頻率	停止振蕩
包裝密封失效	頻率下降	振蕩停止或頻率下降
頻率調(diào)整	More difficult than pierce	易于修剪電容器

表2：皮爾斯振蕩器和串聯(lián)振蕩器的特性

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