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  ADI晶圓各種材料工藝對應輸出功率及頻率 2021-05-21 17:09:32

  ?在電子器件中，射頻和功率應用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導體(射頻前端PA等)，而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導體(汽車電子學等)。

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  293D106X9025C2TE3 293D系列10uF ±10% 25V表面貼裝Vishay鉭電容器 2025-09-25 09:00:58

  Vishay 293D 系列是專為自動化貼裝設計的固態鉭電容，提供4-50V電壓和0.1-680μF容值，支持**-55°C至+85°C工作溫度，可選錫/鉛/鍍金端接，適合消費電子和工業應用。典型型號293D106X9025C2TE3**為10μF/25V無鉛型號，卷軸包裝。