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  Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET 2024-04-10 09:53:17

  IRHMS67260是一款抗輻射的N溝道MOSFET，額定電壓200V，電流45A，采用R6 TO-254AA封裝，具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)、抵御單粒子效應(yīng)能力等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電力推進(jìn)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，在高輻射環(huán)境下表現(xiàn)穩(wěn)定可靠。已有更優(yōu)產(chǎn)品JANSR2N7584T1推出。

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  DEI 700系列20V雙極模擬/混合信號(hào)ASIC 2025-07-28 09:09:38

  DEI 700系列是一款半定制20V雙極模擬/混合信號(hào)ASIC，采用4微米金屬層先進(jìn)工藝，支持放大器、比較器、穩(wěn)壓器等設(shè)計(jì)。其晶體管性能（NPN β=200/fT=800MHz，PNP β=40-90/fT=15MHz）及750Ω高精度電阻網(wǎng)絡(luò)（匹配精度2%）提供高靈活性，支持金屬掩模快速定制。電氣規(guī)格涵蓋20V電源、-55°C至125°C工作溫度及2000V ESD防護(hù)，封裝選項(xiàng)包括DIP、SOIC等（8-48腳），典型應(yīng)用涉及跨導(dǎo)放大器（20MHz帶寬）、運(yùn)算放大器（88dB增益）及555定時(shí)器等混合信號(hào)系統(tǒng)。