Solitron碳化硅電源模塊

Solitron碳化硅電源模塊

發布時間：2024-10-28 08:58:35 瀏覽：1875

　　Solitron公司生產的一系列基于硅碳化物(SiC)半導體的功率模塊。這些模塊設計用于提高電源應用的系統效率、尺寸、重量、外形尺寸和工作溫度范圍。

Solitron碳化硅電源模塊

　　關鍵特性：

　　1. 零正向和反向恢復：意味著這些模塊在開關時損耗非常低。

　　2. 溫度獨立開關行為：模塊的性能不會隨著溫度變化而變化。

　　3. 非常低的雜散電感：這對于SiC MOSFETs的全速開關至關重要。

　　4. ALN基板：用于提高硅碳化物MOSFETs的熱導率，從而實現更好的系統熱性能、更低的開關損耗和更高的可靠性。

　　5. 內部熱敏電阻：用于溫度監測。

　　產品系列：

　　半橋模塊：這些模塊具有非常低的雜散電感，適合高速開關。

　　全橋模塊：提供高密度的功率轉換解決方案。

　　PowerMOD系列：應用特定功率模塊，用戶可以選擇不同的電路配置和封裝選項，以最佳地適應特定應用。

　　應用領域：

　　開關模式電源

　　逆變器

　　電池充電器

　　執行器和電機控制應用

　　產品規格：

Device Type	Type Number	Volltage	Continuous Current	Rsm	Temperature Range	Recovery Diodes	Package
Half Bridge	SD11487	1200V	95A	12mQ	-55℃to 175℃	Yes	6x6
Half Bridge	SD11902	1200V	50A	32mg	-55℃to 175℃	Yes	3x6B
Half Bridge	SD11903	1200V	50A	32mg	-55℃to 175℃	No	3x6A
Half Bridge	SD11904	1200V	50A	32mo	-55℃to 175℃	Yes	3x6A
Half Bridge	SD11905	1200V	50A	32mg	-55℃to 175℃	No	3x6B
Half Bridge	SD11906	1200V	105A	13mo	-55℃to 175℃	Yes	3x6B
HalfBridge	SD11956	1200V	105A	13mg	-55℃to 175℃	No	3x6B
Half Bridge	SD11907	1200V	105A	13mo	-55℃to175℃	Yes	3x6B
Half Bridge	SD11957	1200V	105A	13mQ	-55℃to 175℃	No	3x6B
Half Bridge	SD11908	650V	50A	7mo	-55℃to 175℃	Yes	3x6B
HalfBridge	SD11910	1200V	50A	8mg	-55℃to 175℃	Yes	3x6B
Dual MOSFET	SD11911*	1200V	50A	8.6mQ	-55℃to 175℃	Yes	4x6
Dual MOSFET	SD11912*	1200V	105A	13mo	-55℃to 175℃	Yes	4x6
Full Bridge	SD11915*	1200V	40A	32mo	-55℃to 175℃	Yes	4x10

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