Q-Tech QT58x,QT59x,QTCH230,QTCH350,QTCH570高溫晶體振蕩器
發(fā)布時間:2025-05-27 09:01:00 瀏覽:2326
1.超微型高溫晶體振蕩器(QTCH230、QTCH350、QTCH570)
頻率范圍:32.768kHz 至 48MHz。
穩(wěn)定性:±150ppm 至 ±250ppm。
溫度范圍:-55°C 至 200°C。
晶體安裝方式:2 點安裝。
篩選標(biāo)準(zhǔn):可提供 MIL-PRF-55310,B 級。
輸出類型:CMOS。
供電電壓:1.8V、2.5V、3.3V、5.0V。
封裝尺寸:
QTCH230:2.5mm x 3.2mm。
QTCH350:3.2mm x 5.0mm。
QTCH570:5.0mm x 7.0mm。
2.超低電流高溫晶體振蕩器(QT58x / QT59x)

頻率:32.768kHz
穩(wěn)定性:±150ppm 至 ±250ppm。
溫度范圍:-55°C 至 200°C。
最大電流:0.7mA。
供電電壓:2.5V、3.3V
晶體安裝方式:2 點或 4 點安裝。
篩選標(biāo)準(zhǔn):可提供 MIL-PRF-55310,B 級。
輸出類型:CMOS
封裝類型:貼片式或通孔式
3. 高沖擊高溫晶體振蕩器
頻率范圍:1至 100MHz。
穩(wěn)定性:±175ppm 至 ±450ppm。
溫度范圍:-55°C 至 225°C。
抗沖擊性:標(biāo)準(zhǔn) 10,000G(半正弦波,0.1ms),可選 20,000G。
晶體安裝方式:2 點或 4 點安裝。
篩選標(biāo)準(zhǔn):可提供 MIL-PRF-55310,B 級。
輸出類型:CMOS、TTL。
供電電壓:1.8V、2.5V、3.3V、5.0V。
封裝類型尺寸:貼片式(5x7mm,7x9mm,9x14mm)或通孔式
應(yīng)用場景
嚴(yán)苛環(huán)境:井下設(shè)備(Downhole)、高溫(最高225°C)、高沖擊(如工業(yè)、航空航天)。
低功耗需求:遠程傳感器或電池供電設(shè)備。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司授權(quán)代理銷售Q-TECH產(chǎn)品,備件現(xiàn)貨,歡迎與業(yè)界同行合作。
推薦資訊
Semelab RF VDMOS功率MOSFET采用硅垂直DMOS與金金屬化工藝,1 MHz–1 GHz超寬帶、750 mW–400 W全功率段覆蓋,VHF增益20 dB、UHF 16 dB,可承受20:1 VSWR,12.5 V/28 V/50 V多電壓選項,全系列RoHS合規(guī),提供鉆石增強封裝,廣泛應(yīng)用于通信基站、國防干擾機、醫(yī)療及EMC測試等高可靠性場景。
Vanguard Electronics的100672-C脈沖變壓器,屬于M21038系列,是一款高性能SMD組件,重量僅5g,尺寸0.625x0.625x0.3英寸,適用于現(xiàn)代電子和通信設(shè)備。具有1:2.5/1:1.79匝數(shù)比,250nS上升時間,最大直流電阻1/3.5歐姆,4000歐姆阻抗,最大下垂20%,DWV 100,工作溫度-55°C至+130°C。
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