日本中文字幕乱码|人与畜禽GUOFAMIANCORATION|的图片和视频都去哪儿了?|japanesemom毋子乱视频|深夜福利在线观看视频|狂躁美女BBBBBB视频|真实吃瓜爆料视频大全记录新

Marvell 98CX8520,98CX8530,98CX8540,98CX8550,98CX8580以太網交換機

發(fā)布時間:2025-05-30 09:05:50     瀏覽:3230

  Marvell  Prestera? 8500C系列是面向企業(yè)園區(qū)聚合層的高性能以太網交換機ASIC(專用集成電路)。其中,12.8 Tbps的CX8580型號包含256個高速56G PAM4 SerDes,支持32個400G以太網MAC接口。

Marvell 98CX8520,98CX8530,98CX8540,98CX8550,98CX8580以太網交換機

型號帶寬I/O配置
98CX858012.8 Tbps256 x 56G I/O
98CX85508 Tbps160 x 56G I/O
98CX85426.4 Tbps256 x 28G I/O
98CX85406.4 Tbps128 x 56G I/O
98CX85304 Tbps80 x 56G I/O
98CX85223.2 Tbps128 x 28G I/O
98CX85203.2 Tbps64 x 56G I/O

  核心技術

  Storage Aware Flow Engine (SAFE)技術:專為支持HCI(超融合基礎設施)或通過存儲解耦平臺運行NVMe-oF的可組合基礎設施而設計。它能夠在RDMA(遠程直接內存訪問)流級別進行遙測,幫助運營商識別攻擊性主機或擁塞磁盤,確保網絡中主機和存儲資源之間的服務水平和公平性。

  Forwarding Architecture using Slices of Terabit Ethernet Routers (FASTER)技術:通過1000端口的高基數(shù)能力,將網絡層級從4層減少到2層,適用于大規(guī)模擴展部署。與標準以太網CLOS架構相比,F(xiàn)ASTER技術在延遲、功耗和成本方面可節(jié)省超過30%。

  產品優(yōu)勢

  高性能:支持高達12.8 Tbps的帶寬,滿足高帶寬聚合/分發(fā)層應用的需求。

  優(yōu)化的網絡架構:結合SAFE和FASTER技術,為邊緣數(shù)據(jù)中心部署提供了理想的解決方案。通過將網絡層級簡化為單層,提高了網絡效率,降低了延遲和成本。

  靈活的I/O配置:提供多種型號,支持不同速率的SerDes接口,如56G、28G等,滿足不同應用場景的需求。

  關鍵特性

  第9代以太網交換機流水線:已在企業(yè)、服務提供商和數(shù)據(jù)中心網絡中部署,采用穩(wěn)定的16nm高容量工藝節(jié)點,可快速實現(xiàn)產品上市時間(TTM)。

  高速I/O:支持256個56G PAM4 LR SerDes,兼容1G至400G速率的最新IEEE標準以太網MAC接口。

  流量管理:支持8K隊列、3級H-QoS和VoQ(虛擬輸出隊列),可檢測大象流(大流量)并使用先進的硬件探針預測擁塞。

  轉發(fā)資源:具有大共享內存池,動態(tài)分配給轉發(fā)引擎,支持高達16K的ECMP(等價多路徑)路徑規(guī)模。

  緩沖資源:全局共享包緩沖區(qū),動態(tài)緩沖吸收和增強微突發(fā)支持,細粒度緩沖分割提供比市場上現(xiàn)有解決方案高2倍的包容量。

  流感知:多查找流引擎,可使用TCAM和SRAM進行超過500K流的查找,支持RoCEv2(以太網上的RDMA)感知,提供流級診斷以識別和解決網絡擁塞。

  目標應用

  企業(yè)網絡固定和模塊化聚合/分發(fā)。

Marvell在數(shù)據(jù)傳輸、網絡、存儲解決方案方面,始終保持前沿。深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司擁有優(yōu)勢Marvell分銷資源,期待與各同行客戶合作。

推薦資訊

  • Murata村田非隔離電源模塊替代方案
    Murata村田非隔離電源模塊替代方案 2023-12-19 14:38:57

    深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,提供完美替代Murata村田的臺系器件產品,大量現(xiàn)貨庫存,為客戶提供積極支持。具體替代如下:

  • ADI晶圓各種材料工藝對應輸出功率及頻率
    ADI晶圓各種材料工藝對應輸出功率及頻率 2021-05-21 17:09:32

    ?在電子器件中,射頻和功率應用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導體(射頻前端PA等),而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導體(汽車電子學等)。

在線留言

在線留言