210-0603,210-0508 MTI-MILLIREN 210系列OCXO 14 Pin DIP封裝
發(fā)布時(shí)間:2025-12-10 09:14:19 瀏覽:420
MTI-milliren公司的210系列OCXO產(chǎn)品是一款14引腳雙列直插式(DIP)封裝的微型恒溫晶體振蕩器(OCXO)。


產(chǎn)品定位:可替代14引腳DIP時(shí)鐘振蕩器或TCXO,適用于對(duì)性能要求高的場(chǎng)景。
產(chǎn)品特點(diǎn):低功耗(25°C時(shí)連續(xù)功耗≤0.70W)、具備STRATUM III性能、低相位噪聲。
應(yīng)用領(lǐng)域:STRATUM III、電信、微波無(wú)線電、V - SAT終端、GPS接收器、SONET時(shí)鐘、儀器儀表等。
性能參數(shù)
頻率范圍:32KHz ~ 120MHz。
熱穩(wěn)定性:1.00E - 07 ~ 1.00E - 06。
工作溫度:-40°C ~ +85°C。
輸出類(lèi)型:HCMOS/ACMOS、TTL/CMOS。
電源電壓:+5 ~ +15V(DC)。
調(diào)諧電壓:+0.50 ~ +10V(DC)。
型號(hào)參數(shù)
| Short Term Stability | dF/dV | dF/dL | Time (Min) | Warm Up | Warm Up Power (W) | Continuous Power (W) @25°C | Tuning (Min) | MTI Model # |
| dF/F | ||||||||
| 1.00E-10 | 5.00E-08 | 2.00E-08 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±5.00E-06 | 210-0595 |
| 1.00E-10 | 5.00E-08 | 2.00E-08 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±5.00E-06 | 210-0663 |
| 1.00E-10 | 5.00E-08 | 2.00E-08 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±5.00E-06 | 210-0501 |
| 5.00E-10 | 2.00E-07 | 1.00E-07 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±5.00E-06 | 210-0507 |
| 5.00E-10 | 2.00E-07 | 1.00E-07 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±8.00E-06 | 210-0506 |
| 1.00E-09 | 2.00E-07 | 2.00E-07 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±5.00E-06 | 210-0508 |
| 1.00E-09 | 1.00E-07 | 5.00E-08 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±8.00E-06 | 210-0664 |
| 1.00E-09 | 1.00E-07 | 5.00E-08 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±5.00E-06 | 210-0520 |
| 1.00E-09 | 1.00E-07 | 5.00E-08 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±5.00E-06 | 210-0661 |
| 1.00E-08 | 5.00E-07 | 1.00E-07 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±5.00E-06 | 210-0662 |
| 1.00E-08 | 5.00E-07 | 1.00E-07 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±5.00E-06 | 210-0577 |
| 1.00E-08 | 5.00E-07 | 1.00E-07 | 15 | 1.00E-07 | 2.5 | 0.7 | ±5.00E-06 | 210-0599 |
| Frequency MHz | Crystal Cut | Thermal Stability* | Aging Rate per Day | Aging Rate per Year | Output | Phase Noise @ offsets (dBc/Hz) | |||||
| 1Hz | 10Hz | 100Hz | 1kHz | 10kHz | 100kHz | ||||||
| 9.6 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | 7dBm Sine | -60 | -90 | -120 | -150 | -155 | -155 |
| 10 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | HCMOS | -70 | -100 | -125 | -140 | -145 | -150 |
| 10 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | 7dBm Sine | -60 | -90 | -120 | -150 | -155 | -155 |
| 12.8 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | 7dBm Sine | -60 | -90 | -115 | -140 | -150 | -150 |
| 13 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | 7dBm Sine | -60 | -90 | -115 | -140 | -150 | -150 |
| 16.384 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | 7dBm Sine | -55 | -85 | -115 | -140 | -150 | -150 |
| 38.88 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | HCMOS | -55 | -85 | -115 | -140 | -150 | -150 |
| 50 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | 7dBm Sine | -50 | -80 | -110 | -140 | -150 | -150 |
| 65.536 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | 7dBm Sine | -45 | -75 | -105 | -135 | -145 | -150 |
| 77.76 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | 7dBm Sine | -40 | -70 | -100 | -130 | -140 | -150 |
| 80 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | 3dBm Sine | -40 | -70 | -100 | -130 | -140 | -150 |
| 100 | AT | 5.00E-07 | 5.00E-09 | 5.00E-07 | 5dBm Sine | -40 | -70 | -100 | -130 | -140 | -150 |
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D2220UK是TT Electronics旗下Semelab生產(chǎn)的一款N溝道射頻功率MOSFET,采用SO-8表面貼裝封裝,適用于1 MHz至1 GHz的高頻放大應(yīng)用,如通信基站、射頻放大器和無(wú)線電收發(fā)系統(tǒng)。其關(guān)鍵參數(shù)包括40V漏源擊穿電壓、4A連續(xù)漏極電流和約5W輸出功率,具備約10dB增益和最高150°C結(jié)溫工作能力,符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。
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