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Luxium 1D/2D閃爍體陣列:醫(yī)療成像、安檢掃描及工業(yè)檢測應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2026-01-15 08:50:12     瀏覽:174

閃爍晶體閃爍晶體陣列Luxium 1D/2D閃爍體陣列

  一、 陣列應(yīng)用概述

  Luxium 閃爍晶體陣列主要用于輻射探測與成像,根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為兩大類:

  線性陣列(1D)::應(yīng)用于CT掃描(醫(yī)療/安檢/工業(yè))、線掃描(安檢/工業(yè))及各類科研項(xiàng)目 。

  二維陣列(2D):提供成像能力,應(yīng)用于CT掃描、核醫(yī)學(xué)(如SPECT/PET)、入口成像、X射線閃速放射照相、無損檢測及各種研究與空間應(yīng)用。

  應(yīng)用與材料匹配表:

應(yīng)用領(lǐng)域CsI(Tl)CdWO?BGOLYSO
伽馬相機(jī)X


CT成像
X

正電子發(fā)射斷層掃描

XX
線掃描XX

工業(yè)成像XX

閃速放射照相

X
數(shù)字放射照相

X

  二、 核心閃爍晶體材料特性與選擇

  選擇材料需綜合考慮應(yīng)用需求、光電讀出設(shè)備等因素。

特性參數(shù)CsI(Tl)CdWO?BGOLYSO
密度 (g/cm3)4.5187.137.1
相對(duì)光輸出54 (最高)13932
主衰減時(shí)間1 μs14 μs300 ns41 ns
余輝0.5-5% @6ms0.1% @3ms0.005% @3ms<0.1% @6ms
最大發(fā)射波長565 nm475 nm480 nm420 nm
輻射硬度中等
吸濕性輕微
突出特性光輸出最高,具有延展性,易于加工成各種幾何形狀。高密度、低余輝、耐輻射性能極佳。密度高,余輝極低。具有高密度、短衰減時(shí)間和改進(jìn)的光輸出及能量分辨率。
主要應(yīng)用伽馬照相機(jī)、CT成像、行掃描、數(shù)字放射照相。醫(yī)療和工業(yè)CT掃描、300+ keV 集裝箱/車輛掃描。PET成像、工業(yè)成像、閃光放射照相。PET成像、CT成像、閃光放射照相。

  三、 陣列設(shè)計(jì)關(guān)鍵參數(shù)

  設(shè)計(jì)陣列時(shí)需定義以下參數(shù),以優(yōu)化特定應(yīng)用的性能:

  1.材料:閃爍晶體類型。

  2.像素尺寸:每個(gè)閃爍體像素的X和Y維度。

  3.隔離/反射層類型與厚度:像素間的反射層材料及其厚度(間隙)。

  4.節(jié)距:相鄰像素中心之間的距離(像素尺寸 + 間隙厚度)。

  5.輻射厚度:陣列沿入射輻射方向的厚度(Z維度)。

  6.背反射層厚度:通常應(yīng)用于輻射入射面,將光反射回像素。

  7.末端像素處理:末端晶體可能需要特殊反射層厚度。

  常規(guī)可生產(chǎn)的最小像素尺寸指南:

材料線性陣列 (mm)二維陣列 (mm)備注
CsI(Tl)0.30.5
CdWO?0.31受解理面限制
BGO0.30.3
LYSO0.80.8最小尺寸未經(jīng)測試

  四、 陣列型號(hào)命名規(guī)則


1D Array2D Array

Example of a Model Number82.58X4.2A30/16/5.2CsI(Tl)82.58X4.2A30/16x4/5.2x4CsI(Tl)
1Active area length82.5882.58
2Active area height4.1754.175
3X-ray crystal depth (Z)3030
4Number of pixelsIf the array is 2D,this is in the format [Pixels X][Pixels Y].1616x4
5Pitch [X + Gap X(A)]If the array is 2D AND the pitch is different in X and Y,this is in the format [X+GapX(A)]x[Y+GapY(B)].5.25.2x4
6ScintillatorCsI(Tl)CsI(Tl)
Note:All dimensions in mm

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