DEI1606-MES-G浪涌抑制模塊SiC FET電流限制保護器航空級雷擊防護器件
發布時間:2026-04-01 09:15:26 瀏覽:156
DEI1606-MES-G 是一種用于高壓環境下的雙向電流限制防護元件,采用專有 碳化硅 (SiC) FET 技術。它的主要功能是在與瞬態電壓抑制器(TVS 二極管)配合使用時,形成一個高效的浪涌電壓鉗位和電流限制保護網絡。
與 DEI 的類似型號 DEI1604 相比,DEI1606 不帶熔斷器(fuseless),并采用更小的 8 引腳 DFN 封裝,有利于節省 PCB 空間和重量。

主要特點
雙向浪涌保護,可在正反兩個方向上限制過電流。
符合航空級 DO-160E 標準對雷擊瞬態的保護要求(Sect 22E)。
多種浪涌波形下的高能量抑制能力(如 1500V / 15A 等多種條件)。
低等效阻抗:≈ 1.7 Ω,在正常工作時僅作為低值串聯電阻。
小型表面貼裝封裝:8L DFN,尺寸約 6.15 × 5.15 × 1.1 mm。
工作溫度范圍為 -55 °C 至 +85 °C。
典型應用
航空航天系統中的 I/O 線路防護
通信裝置電氣浪涌保護
雷擊高風險環境下的電源及信號防護
高可靠性嵌入式電子設備保護
推薦資訊
D2220UK是TT Electronics旗下Semelab生產的一款N溝道射頻功率MOSFET,采用SO-8表面貼裝封裝,適用于1 MHz至1 GHz的高頻放大應用,如通信基站、射頻放大器和無線電收發系統。其關鍵參數包括40V漏源擊穿電壓、4A連續漏極電流和約5W輸出功率,具備約10dB增益和最高150°C結溫工作能力,符合RoHS環保標準。
IGBT通常用于大功率逆變器和轉換器電路,需要大量的隔離柵極驅動功率才能實現最佳開關。硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)MOSFET的柵極驅動也有類似的要求。本文將為您介紹與村田制作所推出的IGBT/MOSFET相匹配的小型隔離式DC-DC轉換器的性能特點。
在線留言