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Renesas RE Cortex-M 超低功耗SOTB MCU

發(fā)布時間：2021-03-03 17:17:18     瀏覽：3023

Renesas RE Cortex-M超低功耗SOTBMCU使用ARM Cortex M核，該核心基于世界上最高的基于硅薄氧化物埋層(SOTB)工業(yè)技術(shù)的超低功耗MCU。在EEMBC ULPMark基準中，ULPMark-CP評分非常高，達到705。

Renesas RE Cortex-M超低功耗SOTB MCU基于RE系列硅薄氧化物埋層(SOTB)技術(shù)，實現(xiàn)了待機模式和低壓(1.62V)高速CPU工作(64 MHz)下的超低電流消耗，但傳統(tǒng)的主硅工藝不能做到這一點。RE01已通過EEMBC認證，在EEMBC ULPMark基準中，ULPMark-CP評分非常高，達到705分。EEMBC ULPMark標準為比較超低功耗單片機的能量效率提供了一種標準方法。此外，在內(nèi)置的能量采集控制電路的幫助下，該設(shè)備可以使用能量采集電源在環(huán)境能量很弱的情況下工作。

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Renesas RE Cortex-M 超低功耗SOTBMCU可顯著延長電池壽命，并可提供高性能的小型電池和能源獲取電源。RE系列產(chǎn)品適用于多種物聯(lián)網(wǎng)應用，如混合電子表、智能家居/建筑、保健、智能建筑、結(jié)構(gòu)監(jiān)測、跟蹤器等。

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