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更新時間:2026-08-24
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原裝現貨供應:玉崎科學儀器(深圳)有限公司品牌負責人:林經理 地址:廣東省深圳市龍華新區龍華街道 906 號電商集團 7 樓整層
結構:伺服電機直驅蝶板,無齒輪背隙,蝶閥式流道;內置絕對編碼器,記憶閥位;?B 型號帶電磁抱閘,斷電鎖止開度,防止腔體壓力驟變報廢晶圓。
定位:半導體研發樣機、中試線、等離子清洗、小型 PVD、檢測腔體;兼顧光學鍍膜、面板設備。
不適合:28nm 及以下先進制程大規模量產產線(顆粒管控等級低于 GAR)。
結構:閘板式流道,無金屬摩擦滑動副,SEMI 低發塵標準,從源頭減少顆粒產生,避免晶圓顆粒缺陷;伺服直驅 + 斷電抱閘;全行程 0?100% 開度連續可調,微小開度調節穩定性優異。
定位:成熟制程 & 先進制程量產線,等離子刻蝕、PVD 磁控濺射、CVD、ALD 原子層沉積、離子注入設備主壓力調節閥;日系設備標配閥件。
型號后綴說明
J:JIS 法蘭;I:ISO?F;C:CF 刀口法蘭;B:內置電磁抱閘斷電鎖閥。
| 項目 | BAR 系列 | GAR 系列(半導體量產) |
|---|---|---|
| 驅動 | 伺服電機直驅,無背隙 | 伺服電機直驅,閘板式無摩擦流道 |
| 開度范圍 | 0?90° 連續無級調節 | 0?100% 全行程連續調節 |
| 泄漏率 | 內漏≤1×10??Pa?m3/s;軸封外漏≤1×10?1?Pa?m3/s | 內漏≤1×10?1?Pa?m3/s;軸封外漏≤1×10?1?Pa?m3/s |
| 壓力區間 | 10?Pa ~ 10??Pa | 10?Pa ~ 10??Pa |
| 接觸介質材質 | SUS304 電解拋光低放氣 | SUS304 高純電解拋光,低析出低發塵 |
| 密封件 | 標準 FKM;可選 Kalrez 全氟醚(抗等離子腐蝕) | 標準 FKM;Kalrez 適配刻蝕腐蝕性工藝氣體 |
| 烘烤溫度 | 閥體最高 120℃ | 閥體最高 150℃,CF 法蘭版本支持烘烤除氣 |
| 斷電保護 | ?B 型號電磁抱閘鎖閥位 | ?B 型號電磁抱閘鎖止閥位,防止真空突變 |
| 信號接口 | 0?10V/4?20mA 模擬量,RS485 通訊 | 0?10V/4?20mA,RS485,對接上位機 PLC |
| 控制器配套 | MGCS?11、MG?mini485、MS?VP | MGCS?11(半導體產線主流) |
GAR 伺服閥搭配MGCS?11 壓力控制器 + 電容薄膜規組成 PID 閉環系統,動態補償進氣、泵抽波動,穩定腔體工藝壓力;斷電抱閘鎖閥,避免真空失穩造成整片晶圓報廢。
適用:ICP、CCP 刻蝕機,8/12 寸晶圓制程。
PVD:控制濺射腔背壓,保障金屬 / 介質薄膜厚度均勻性,降低膜層缺陷。
CVD/ALD:多層薄膜循環工藝,多組 PID 參數存儲,不同工序自動切換閥門開度,適配周期性沉積工藝;Kalrez 密封抵御反應腐蝕氣體。
量產產線選用 GAR 系列;研發樣機選用 BAR 系列。
大口徑 GAR 管控爐管真空度;小口徑 BAR 用于晶圓光學檢測真空腔體,動作低震動,不干擾光學成像。
MGCS?11(主力):觸摸屏,7 組 PID 參數存儲,自動 PID 整定,RS485,接收真空規信號,自動驅動 GAR/BAR 閥門做閉環穩壓;半導體產線常用。
MG?mini485:小型嵌入式控制器,設備內部集成,無面板。
MS?VP:開度驅動模塊,接收 PLC 模擬量信號,只做閥位定位,壓力閉環由上位機實現。
整套架構:真空規采集腔體壓力 → MGCS?11 運算 → 輸出信號驅動 GAR/BAR 伺服閥調整開度,動態維持工藝設定壓力。
| 使用場景 | 推薦系列 | 典型型號 |
|---|---|---|
| 8/12 寸晶圓量產刻蝕、PVD、CVD、ALD,對顆粒、斷電保護高要求 | GAR 系列(閘板式) | GAR?J200B、GAR?J250B |
| 半導體研發樣機、中試線、等離子清洗、小型 PVD、檢測腔體,成本優先 | BAR 系列(蝶板式) | BAR?J150、BAR?J200?B |
現貨:BAR 系列流通型號部分原裝現貨;GAR 半導體量產型號多為日本原廠訂貨;
交付資料:可提供原廠檢測報告、氦檢報告、說明書、CE 證書;可提供 Kalrez 耐腐蝕密封定制;
成套方案:閥門 + MGCS?11 控制器整套供貨,提供 PID 調試技術支持;
提示:半導體產線務必確認帶?B 電磁抱閘版本,規避斷電工藝事故;市場存在翻新閥,采購核對本體銘牌與原廠資料。