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當前位置:首頁技術文章LUCEO 魯機歐LSM-9100WNIR 近紅外三波長偏振法機型產品詳情

LUCEO 魯機歐LSM-9100WNIR 近紅外三波長偏振法機型產品詳情

更新時間:2026-09-28點擊次數:104

LUCEO 魯機歐,日本偏光應力 / 應變檢測專業廠商;LSM-9100WNIR 為近紅外三波長偏振法機型,專門解決硅晶圓、有色樹脂這類可見光不透光樣品的殘余應力、應變、微裂紋定量二維面掃描測試。

檢測原理

近紅外 NIR 三波長線偏振法(900~1200nm 近紅外光源)硅材料在可見光不透明,但對近紅外波段具備透光性;設備發射近紅外偏振光穿過晶圓,利用材料雙折射效應,CCD 相機逐像素采集相位差(Retardation / 光程差),自動運算得到:
  1. 相位差(延遲量)大小分布

  2. 慢軸方位角分布

    輸出二維應力云圖 + 3D 應力分布圖,全自動化,無人工目視判讀,消除人為誤差。

核心規格

  • 測量方式:近紅外三波長線偏振法

  • 工作波長:900~1200 nm 近紅外 LED 光源

  • 相位差測量范圍:100 nm ~ 5000 nm(Retardation)

  • 最大樣品尺寸:φ100mm(4 英寸晶圓)

  • 成像:內置 CCD,像素級二維面測量,全域掃描,不是單點測量

  • 光源:長壽命近紅外 LED,維護成本低

  • 操作:樣品放置 → 一鍵啟動,全自動采集 + 分析

  • 輸出:二維應力等高圖、截面曲線、直方圖、3D 應力曲面,支持 CSV / 圖片保存,可導出用于 SPC 品質管控

核心優勢(硅片 / 晶圓場景重點)

  1. 可穿透硅晶圓:普通可見光應力儀無法穿透硅,LSM-9100WNIR 依靠近紅外,直接檢測硅片內部殘余應力、晶格應變、微裂紋、崩邊應力集中;用于切片、研磨、拋光、退火后晶圓應力評估。

  2. 全二維面掃描:一次性獲取整片晶圓應力分布,識別局部應力集中區域,而非單點抽樣。

  3. 消除人工偏差:傳統偏光鏡靠人眼判色,結果因人而異;本設備全自動化定量數值輸出,適合半導體實驗室、產線 QC。

  4. 寬量程:最高可測 5000nm 相位差,既可以測硅片微小殘余應變,也可兼顧有色樹脂等大應變樣品,一機多用。

  5. 軟件分析功能豐富:任意截面剖面、ROI 區域統計、應力分布直方圖、3D 可視化,批量數據導出,方便制程改善(研磨 / 切割工藝優化)。

典型應用場景

? 半導體硅片(4 寸晶圓為主):
  • 硅單晶片切割、研磨、拋光后的殘余應力檢測

  • 晶圓微裂紋、位錯、應力集中區域檢出

  • 退火工藝驗證、制程品質監控、來料檢驗

? 其他拓展應用:
  • 傳統可見光應變儀無法檢測的有色樹脂注塑件應變、殘余應力評估

  • 光學材料、紅外透光材料的雙折射與應變檢測



LUCEO 魯機歐供貨采購渠道

玉崎科學儀器(深圳)有限公司  原裝現貨供應

地址:廣東省深圳市龍華新區龍華街道906號電商集團7樓整層玉崎科學

項目負責人:林經理


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